A diferencia de otros diodos Schottky SiC de elevada tensión, los diseñadores de sistemas y fabricantes de fuentes de alimentación no tienen que agrandar el diodo para una determinada aplicación y pueden emplear dispositivos más económicos y de menores dimensiones, reduciendo los costes entre un 30 y 50% e incrementado la resistencia.

Los diodos Schottky también son ideales para aplicaciones PFC. Este mercado posee requerimientos estrictos, como el estándar europeo EN61000-3-2, que establece límites armónicos para cualquier aplicación off-line que tenga un consumo superior a 75 W.

Estos diodos muestran una ausencia de carga y corriente durante el proceso de conmutación, lo que reduce significativamente las pérdidas (un requisito previo para operación de baja frecuencia). Además, el rendimiento de conmutación es independiente en corriente forward, velocidad y temperatura.

Con esta segunda generación de dispositivos SiC, las características de protección ante subidas de corriente y tensión se mejoran a través de una estructura PIN-Schottky.

Los nuevos diodos Schottky SiC se encuentran disponibles con tensiones de bloqueo de 600 V en encapsulados TO-220 y TO-252.