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| Los fabricantes de chips buscan alternativas a las memorias Flash y DRAM | | | |
Intel y ST Microelectronics están colaborando en el desarrollo de un nuevo tipo de memoria que podría reemplazar a las actuales memorias Flash y DRAM. Ambas firmas tienen previsto exponer a finales de este mes de junio un documento en el que presentarán una memoria de cambio de fase (PCM, de su denominación inglesa), también conocida como PRAM y Ovonic Unified Memory.
Asimismo, las compañías también están colaborando en otras áreas como las de memorias Flash NOR y han investigado las memorias PCM separadamente. ST Microelectronics ha desarrollado un prototipo de 128 Mbit empleando un procesador de 90 nanómetros y está buscando la manera de poner en producción una memoria PCM multi-gigabit utilizando procesadores de 45 ó 32 nanómetros.
En el documento que las dos compañías presentarán a finales de junio en un encuentro del sector de ingenieros subrayarán lo que denominan resultados utilizando procesos de 90 nanómetros, un elemento de almacenamiento de chalcogenide, y un transistor vertical PNP bipolar como dispositivo de selección, según cita el documento.
Las compañías obtuvieron pequeñas áreas de células, buenos resultados eléctricos y alta fiabilidad.
PCM es un tipo de memoria “no volátil”, lo que significa que retiene los datos incluso cuando el consumo cambia, al contrario que DRAM. Esto permite confiar en el comportamiento del cristal de chalcogenide, que puede ser estructuralmente alterado por el calor generado por una entrada controlada de electricidad.
El chalcogenide también se utiliza en medios ópticos reescribibles, donde sus propiedades ópticas, más que las eléctricas, son manipuladas.
Stanford Ovshinsky, fue el primero que comenzó a investigar las propiedades del cristal chalcogenide allá por la década de los 60, algo que firmas como Intel, ST y otras continuaron investigando posteriormente hasta nuestros días.
La comercialización se ha llevado a cabo hasta ahora dejando atrás temas como la calidad del material y el consumo energético. Ahora, las compañías parecen estar mostrando más interés en PCM debido a que podría ser más conveniente para utilizar técnicas de litografía que no las memorias Flash y DRAM. |
Jueves, 22 Junio, 2006 - 11:00 | |
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