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| Seminario Técnico de Nanotecnología se realizará en Valparaíso | | | |
“Procesos Asistidos Ab-initio y Simulación de Dispositivos para Dispositivos Nanoescala”, es el nombre de la actividad organizada por SEPARI, consorcio que integran la Universidad Santa María y otras 6 universidades, además de 5 empresas, y que cuenta con financiamiento de FONDEF, del Gobierno Regional de Valparaíso y del Gobierno de Japón. Será dictado por el Dr. Wolfgang Windl, de la Ohio State University ydel Fraunhofer Institute. Es gratuita para los pre inscritos.
El jueves 6 de julio se realizará el 1er Seminario Técnico Inaugural “Procesos Asistidos Ab-initio y Simulación de Dispositivos para Dispositivos Nanoescala”, a cargo del Dr. Wolfgang Windl, del Departmento de Ciencia de Materiales e Ingeniería de la Ohio State University, EE.UU.
La actividad es organizada por el Southeastern Pacific Research Institute, SEPARI (Instituto de Investigación del Pacífico Suroriental), consorcio integrado por la Universidad Técnica Federico Santa María y conformado por 7 universidades (PUCV, UV, UVM, U. de Chile, U del Mar y UPLA), 5 empresas – de las cuales la más importante es SONDA S.A. – y que cuenta con financiamiento de FONDEF, del Gobierno Regional de Valparaíso y del Gobierno de Japón.
El taller, dictado íntegramente en inglés, sin traducción simultánea, se realizará entre las 10 y las 12 horas en el Salón de Conferencias del Edificio Tecnológico de CORFO en Curauma, Valparaíso (Av. Tupungato 3850, Ruta 68, Salida Parque Industrial Curauma) y no tiene costo para personas pre-registradas. El discurso de bienvenida estará a cargo de Vivian Heyl, Presidenta de CONICYT.
La continua miniaturización de los dispositivos semiconductores tradicionales hasta alcanzar la “nano” escala y los nuevos conceptos como dispositivos moleculares, requieren una atención sin precedentes a la detallada geometría y propiedades electrónicas a nivel atómico. Esta charla examinará el rol de la modelación atomística, principalmente basada en étodos Ab-Initio de la mecánica cuántica, para futuros procesos de semiconductores y simulación de dispositivos.
Primero, se discutirán mejoras atomísticas del tradicional proceso de modelación para incluir los efectos nanoescala y el problema de la caracterización nanoescala para dispositivos convencionales, donde la caracterización tradicional ya no podrá proveer la información necesaria. Se discutirá el enfoque, enlazado, experimental-teoría basado en técnicas analíticas de microscopía electrónica de transmisión (Espectroscopía de contraste-Z y espectroscopía de pérdida de energía de electrones) que pueden detectar átomos dopantes.
Se podrá “observar” la estructura atómica de capas amorfas de óxidos. Con este método, se puede identificar por primera vez una interfase “ideal” entre Si:Ge y SiO2.
Finalmente, se discutirá la modelación de procesos simultáneos y el transporte de electrones a escala atómica. Mientras que varios grupos han sugerido formas de estudiar el transporte de electrones a través de dispositivos moleculares, a la fecha existen pocos conceptos que permitan determinar la estructura de contacto de temperatura finita entre moléculas y el metal en contacto. Se propone utilizar métodos Ab – Initio de dinámica acelerada para estudiar la evolución de contacto y examinar la influencia considerable de la estructura de contacto en el transporte de electrones. |
Domingo, 02 Julio, 2006 - 11:00 | |
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