Zetex Semiconductors ha introducido una nueva gama de transistores bipolares de media tensión en un encapsulado SOT23, capaz de gestionar una disipación de potencia de hasta 1.25 W.
Con unas dimensiones de 3 x 2.5 mm, estos nuevos modelos (siete NPN y seis PNP) ayudan a incrementar la densidad de potencia en circuito, reemplazando a dispositivos DPAK, SOT89 y SOT223 de mayores dimensiones.
Ampliando el rango de tensión del emisor de 40 a 100 V, los transistores bipolares ZXTN y ZXTP crean conmutadores de elevada eficiencia para lámparas, relés y solenoides en automoción, telecomunicaciones y aplicaciones industriales.
Capaz de bloquear tensiones de hasta 180 V y gestionar una corriente continua de colector de hasta 5 A, la nueva gama de transistores puede conmutar cargas de 500 W. Además, los ratios de corriente pulsada de hasta 12 A permiten dirigir MOSFET e IGBT de mayor capacitancia en circuitos de fuente de alimentación con velocidades superiores.
La menor disipación de calor se consigue gracias a la tensión de saturación de los transistores (40 mV para el ZXTN2031F promediado a 50 V), mientras que la resistencia de 30 m&
937; para el ZXTN2020F promediado a 100 V es mucho menor que alternativas con MOSFET en el mismo encapsulado.
Los nuevos transistores bipolares también se caracterizan por elevada ganancia (un mínimo de 300 para el ZXTP25040DFH promediado a 40 V), haciendo posible que los IC dirijan cargas superiores directamente, sin la necesidad de buffering adicional.
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