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| UMC aplica ya la tecnología de 45 nm | | | |
La firma taiwanesa United Microelectronics Corp. (UMC) ha anunciado que ha empezado a producir memorias SRAM funcionales en tecnología de 45 nm que permiten conseguir una tamaño de celda por bit de menos de 0,25 micras cuadradas.
Para hacer estas memorias, UMC ha señalado que ha utilizado litografía por inmersión para las 12 capas críticas del proceso. La litografía por inmersión es una técnica con resolución avanzada que interpone un líquido entre el escáner óptico y la superficie de la oblea que reemplaza al tradicional salto por aire y facilita el proceso de transferencia en los diseños de circuitos de pequeñas dimensiones. Esta técnica también la emplea Texas Instruments según indicó el pasado verano y está siendo la técnica más adecuada para trabajar en dimensiones de 45 nm.
Según la empresa taiwanesa, esta tecnología permite un 30% de ahorro en las reglas de diseño, un 50% en el tamaño de la celda de memoria SRAM y permite ganar un 30% en las prestaciones del dispositivo sobre la tecnología de 65 nm que se utiliza ampliamente en estos momentos. El desarrollo de esta tecnología se está realizando en la planta Fab 12A con obleas de 300 mm de diámetro. Por el momento no han señalado una fecha para la comercialización de los primeros productos con esta tecnología.
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Martes, 21 Noviembre, 2006 - 08:02 | |
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Jaume Balmes (1810-1848)
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