Esta construido con indium phosphide y indium gallium arsenide. Con su último dispositivo Feng y su grupo de investigación han llevado el transistor a una nueva gama dentro de los límites de la alta velocidad, teniendo la meta del terahercio finalmente dentro de su alcance.

Los investigadores también mejoraron el proceso de fabricación para conseguir reducir el tamaño de los componentes del transistor. Por ejemplo, la base del transistor es solamente de 12.5 nanómetros.

"Escalando el dispositivo verticalmente, hemos reducido la distancia que tienen que recorrer los electrones, mejorando la velocidad de funcionamiento del transistor", explico William Snodgrass, estudiante participante en el programa, añadiendo también que "al reducir el tamaño del colector, el dispositivo se puede cargar y descargar mas rápidamente".

Imágenes al microscopio electrónico de exploración de mesa de la base-colector .   Con una temperatura ambiente de 25 grados Celsius, el transistor alcanzo una temperatura de trabajo de 55 grados a 765 gigahercio. William Snodgrass describirá el nuevo dispositivo en la reunión internacional en San Francisco, del 11 al 13 Diciembre. Los trabajos han estado financiados por la Defense Advanced Research Projects Agency(DARPA)