(NC&T)"A menos que hagamos pronto algo muy radical, la revolución de la microelectrónica que ha enriquecido nuestras vidas de tantas formas diferentes, podría detenerse abruptamente", afirma Jesús del Álamo, profesor de ingeniería electrónica y ciencias de la computación en el MIT, y miembro del MTL (Microsystems Technology Laboratories) dependiente del mismo MIT.

¿Cuál es el problema? Los ingenieros estiman que dentro de los próximos 10 a 15 años alcanzaremos el límite, en lo que se refiere al tamaño y funcionamiento, de los transistores de silicio, cruciales para la industria. Muchas personas tenemos varios miles de millones de transistores que trabajan todos los días para nuestro beneficio, en nuestros teléfonos, ordenadores portátiles, iPods, automóviles, cocinas y muchos otros equipamientos.

Como resultado, el laboratorio de Jesús del Álamo y otros en muchas partes del mundo están trabajando en los nuevos materiales y tecnologías que puedan llegar más allá de los límites del silicio. Están buscando nuevos materiales semiconductores para fabricar transistores que continuarán mejorando su rendimiento, a medida que los dispositivos se hagan más y más pequeños.

Del Álamo y sus colaboradores del MTL están investigando una familia de materiales semiconductores candidatos a lograr ese objetivo, conocidos como semiconductores compuestos III-V. A diferencia del silicio, se trata de materiales compuestos. Particularmente interesante es el InGaAs (indio-galio-arseniuro), un material en el que los electrones viajan muchas veces más rápido que en el silicio. Como resultado, debe ser posible hacer con él transistores muy pequeños capaces de una conmutación y un procesamiento de información muy veloces.

(Dae-Hyun Kim, a la izquierda, y Jesús del Alamo.) (Foto: Donna Coveney) El grupo de Jesús del Álamo demostró esto recientemente fabricando transistores de InGaAs que pueden conducir 2,5 veces más corriente que los dispositivos de silicio más modernos. Conducir más corriente es la clave para lograr un funcionamiento más veloz. Además, cada transistor de pozo cuántico de InGaAs tiene sólo 60 nanómetros de largo. Este tamaño es similar al de los dispositivos de 65 nanómetros basados en la tecnología de silicio más avanzada disponible hoy en el mundo. Sin embargo, hay que tener en cuenta que la tecnología de los transistores de InGaAs todavía está en su infancia. Algunos de los desafíos pendientes incluyen fabricar estos transistores en cantidades industriales, considerando que el InGaAs es más proclive a la rotura que el silicio. Pero Del Álamo espera que durante los próximos dos años se desarrollen prototipos de microdispositivos de InGaAs de las dimensiones requeridas y que la tecnología despegue en una década aproximadamente.