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| Nuevas pistas sobre el mecanismo de la "resistencia colosal" | |||||
Unos experimentos en el Laboratorio Nacional de Brookhaven aportan algunos datos esclarecedores sobre la capacidad de algunos materiales de cambiar drásticamente su resistencia eléctrica en presencia de campos eléctricos o magnéticos externos. (NC&T) Los pequeños cambios en la resistencia subyacen en el funcionamiento de muchos dispositivos electrónicos, incluyendo algunos sistemas de almacenamiento de datos para los ordenadores. Entender y poder aplicar cambios drásticos en la resistencia, un efecto conocido como Magnetorresistencia Colosal, ofrece magníficas oportunidades para el desarrollo de nuevas tecnologías, incluyendo dispositivos de almacenamiento de datos con incrementos sustanciales en su densidad de datos y reducción en sus requisitos de energía. Los científicos del Brookhaven estaban estudiando unas manganitas especiales que habían dopado con portadores de carga extra, es decir electrones o "huecos" (ausencia de electrones), aplicando varias técnicas innovadoras de microscopía electrónica. En un experimento sin precedentes, los científicos usaron un microscopio de efecto túnel, que se construyó dentro de un microscopio electrónico, para aplicar un estímulo eléctrico a la muestra mientras se observaba su respuesta en el ámbito atómico. Al utilizar esta técnica los científicos obtuvieron, por primera vez, evidencia directa de que un pequeño estímulo eléctrico puede distorsionar la forma de la red cristalina y producir también cambios en la forma en que las cargas viajan a través de la red. Los efectos de la resistencia colosal podrían aprovecharse para conseguir una miniaturización de circuitos eléctricos, operando con un más bajo consumo de energía. Por consiguiente, este trabajo tiene un impacto directo en la aplicación de estos materiales para desarrollar nuevos dispositivos electrónicos, y también espintrónicos (dispositivos que emplean una combinación del espín del electrón y las cargas). Tales dispositivos incluyen nuevas formas de memorias no volátiles para computadoras (memorias que pueden retener la información almacenada incluso cuando no reciben energía) como la memoria RRAM. Esta investigación se realizó en colaboración con Christian Jooss, científico visitante en el Brookhaven, y colegas de la Universidad de Gotinga, en Alemania. | |||||
Lunes, 01 Octubre, 2007 - 11:00 | |||||
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