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| Cuando un científico prestigioso pero anciano afirma que algo es imposible, lo más probable es que esté equivocado. Arthur Clarke(1917). Escritor de divulgación científica y de ciencia ficción. |
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| REVELADA UNA ESTRUCTURA OCULTA EN LAS CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR LASER | |||||
El transistor láser ha estado lleno de sorpresas desde su invención. Sus investigadores han logrado recientemente que el dispositivo revele sus propiedades fundamentales como transistor y como transistor láser, acercándolo un paso más a su comercialización. (NC&T) Nick Holonyak Jr., Milton Feng, y colegas suyos de la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign, donde se inventó el transistor láser, exploraron la relación corriente-voltaje en este dispositivo. Durante la emisión estimulada, la luz del láser permitió a los científicos ver en el dispositivo y estudiar su esquiva estructura electrónica. Pudieron analizar las características de operación del transistor, observar su interior, y ver rasgos y comportamientos que nunca antes se habían visto. Las características de corriente-voltaje se distorsionaron claramente bajo la recombinación estimulada, comparadas con las de los transistores convencionales, con ya 58 años de historia, en los cuales la recombinación es espontánea. El transistor láser emplea una fuente cuántica y un resonador en la base para controlar la recombinación de los electrones y los huecos, y la ganancia eléctrica. Bloqueando el resonador láser con una pasta blanca, los investigadores convirtieron el dispositivo en un transistor ordinario. Como el proceso es reversible, los investigadores pudieron comparar las características de colector cuando el dispositivo funcionaba como un transistor normal y cuando funcionaba como un transistor láser, algo que nunca antes había sido posible. Encontraron una estructura significativa en las características de corriente-voltaje del transistor láser que pudieron describir en detalle. El transistor láser combina la funcionalidad de un transistor y la de un láser para la señal eléctrica de entrada, convirtiéndola en dos señales de salida, una eléctrica y otra óptica. Los fotones para la señal óptica se generan cuando se recombinan los electrones y los huecos en la base, un rasgo intrínseco de los transistores. Este transistor láser permite que los científicos vean las propiedades y la mecánica de cuán rápido los electrones y los huecos generan los fotones, y también pueden apagar y encender la generación de fotones en el láser. Esto permite a los científicos alterar los procesos y ver cómo cambian factores como la velocidad y el tiempo. ésta es la primera vez que los investigadores pueden determinar directamente el tiempo de vida y la velocidad de la recombinación estimulada. Es factible desarrollar transistores láser con el fin de que operen a diferentes velocidades, para variadas aplicaciones comerciales. Los coautores del estudio junto a Feng y Holonyak fueron Richard Chan, Gabriel Walter y Adam James. | |||||
Martes, 23 Mayo, 2006 - 11:33 | |||||
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