| Secciones |
|---|
|
|
| Foros Electrónica |
| Alguien dijo ... |
| Con números se puede demostrar cualquier cosa, Thomas Carlyle(1795-1881) Historiador, pensador y ensayista inglés |
| Contacto |
| Fabrican el transistor más rápido del mundo | |||||
Científicos de la Universidad de Illinois en Urbana-Champaign Estados Unidos, fabricaron el transistor más rápido del mundo, con una velocidad de operación de 604 gigahertz, lo que constituye todo un récord que acerca cada vez más a los científicos a la meta de un terahertz para acelerar el flujo de información en aplicaciones de computación y telecomunicaciones. Para lograr la nueva velocidad de operación, el ingeniero Milton Feng, profesor de ingeniería eléctrica y de computación e investigador en el laboratorio coordinado de ciencia en Illinois, empleó un compuesto de fosfito de indium y de arseniuro de galio para emplearlos como colector, base y emisor, con lo que logró reducir considerablemente el tiempo del tránsito de la corriente dentro de él. El transistor, que lleva el complicado nombre de seudomorfico bipolar heteroensamblado, ha venido a demostrar la operatividad de un dispositivo de esta naturaleza. De acuerdo a un comunicado de la misma universidad, un dispositivo de este tipo no era posible con la estructura empleada hasta ahora, ya que ésta permite un flujo más rápido de los electrones. Sin los cambios realizados en el nuevo dispositivo que permite una disminución en la densidad de los electrones, la sobrecargaría derretiría a los transistores tradicionales. Transistores más rápidos podrían facilitar la construcción de computadoras más rápidas, sistemas de comunicaciones sin hilos más flexibles y más seguros, y sistemas electrónicos más eficaces de combate. Los científicos esperan poder construir antes del 2010 el primer transistor de un terahertz. | |||||
Jueves, 12 Mayo, 2005 - 10:02 | |||||
 | |||||
