Anuncia Freescale que, en proyecto conjunto con la Universidad de Florida, han desarrollado un modelo para los transistores de doble compuerta, tecnología que algunos expertos han señalado como una opción atractiva para la manufactura de dispositivos de 45nm y menores dimensiones.
Durante la presentación de este modelo, se aseguró que éste es el primer modelo desarrollado para los transistores de doble compuerta, los cuales fueron introducidos por IBM a finales del 2001.
“Por primera vez, los muerdos de la tecnología de silicio y diseño de circuitos para estos transistores, han sido enlazados con éxito”, comentó Jerry Fossum, catedrático de la Universidad de Florida. “Hemos colaborado durante 5 años con Freescale en el desarrollo de nuevas tecnologías y esperamos que este proyecto nos permita realizar nuevos descubrimientos”. De acuerdo con Freescale, la motivación de la compañía para desarrollar este modelo, son las intenciones de utilizar transistores de doble compuerta en los circuitos integrados de la compañía, para aprovechar sus características de alta velocidad y mayor control.  | |
Para poder utilizar dispositivos de doble compuerta en circuitos integrados era necesario desarrollar un modelo preciso del comportamiento eléctrico de estos dispositivos, con el objetivo de poder simular el comportamiento del transistor, y sobre eso poder diseñar la circuitería del chip.
Transistores de compuerta doble
Los transistores de doble compuerta fueron desarrollados en el 2001 por expertos de IBM. De acuerdo con la compañía, el utilizar una compuerta doble le permite a los dispositivos manejar el doble de potencia y elevar la velocidad de operación del dispositivo también al doble.
Las dimensiones de los transistores de compuerta doble son similares a las de los transistores tradicionales, sin embargo esta capacidad de manejar mayor potencia a una velocidad mayor, han convertido a esta tecnología en una opción bastante atractiva para las nuevas tecnologías, ante las dificultades de los fabricantes de entregara dispositivos que satisfagan los requerimientos de rendimiento, velocidad y tamaño de la industria actual. Estos dispositivos son fabricados utilizando la tecnología SOI (Silicon On Insulator), la cual consiste en una capa delgada de semiconductor separada del sustrato de silicio por una capa delgada de aislante (Dióxido de silicio).
Este proceso permite incrementar la velocidad de conmutación de los transistores hasta en un 15%, reduciendo además el consumo de potencia hasta en un 20%, comparado con anteriores tecnologías de fabricación. |
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