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| Transistores LDMOS de 1GHz | |||||
Presenta Freescale sus transistores LDMOS y anuncia la aparición de la próxima generación de esta tecnología. Freescale Semiconductor presentó la sexta generación (HV6) de su línea de transistores de alto voltaje de radiofrecuencia, construidos en base a la arquitectura LDMOS (laterally diffused metal oxide semiconductor). La tecnología de transistores LDMOS había sido utilizada tradicionalmente como dispositivos de alto voltaje en aplicaciones de conmutación. Sin embargo, a últimas fechas el uso principal de estos transistores en aplicaciones de alta frecuencia, debido a que estos transistores ofrecen un buen rendimiento en frecuencia sin elevar considerablemente el costo de los dispositivos. Una gran ventaja en el proceso de fabricación de transistores LDMOS, es que utilizan básicamente el mismo proceso que en la tecnología CMOS estándar, solo agregando un último paso en el proceso, por lo que el costo de fabricar estos dispositivos no se incrementa considerablemente, lo que ha impulsado su popularidad. De acuerdo con Freescale, la línea de productos LDMOS HV6 ofrecen mejoras en cuanto al rendimiento eléctrico y confiabilidad a largo plazo, sobre las anteriores generaciones de transistores de la compañía. Entre estas mejoras se encuentra un incremento de 15% en la eficiencia en el consumo eléctrico de los dispositivos, lo que permite mejorar el tiempo de vida de la batería de alimentación de los sistemas, y un 50% de incremento en la densidad de potencia. Esta generación fue diseñada especialmente para utilizarse en aplicaciones de telefonía celular, dentro del rango de frecuencias de los 800MHz a 1GHz. Freescale ofrece actualmente diversas opciones de transistores, cubriendo el rango de potencia de los 10 a los 220watts. Esta familia de transistores de RF incluye 4 dispositivos en empaquetado de plástico (MW6S010N/G, MRF6S9045N/B, MRF6S9060N/B y MRF6S9125N/B), que soportan una potencia máxima de 10, 45, 60 y 125watts, respectivamente. Cabe señalar que la compañía recientemente superó la cifra de los 10 millones de transistores de RF en empaquetado de plástico comercializados alrededor del mundo. Freescale también tiene disponibles 3 transistores LDMOS (MRF6S9130H/S, MRF6S9160H/S y MRF6P9220H) en empaquetado cerámico que permiten una mejor disipación de calor en los dispositivos de 130,160 y 220watts, respectivamente. Así mismo, la compañía anunció que la séptima generación LDMOS se encuentra en las últimas etapas de desarrollo, por lo que próximamente lanzará al mercado los primeros transistores de esta tecnología. De acuerdo con Freescale, la séptima generación de estos dispositivos se centra en mejorar sustancialmente la eficiencia en el consumo de potencia de los dispositivos, permitiendo incrementar la duración de las baterías de teléfonos celulares, PDAs y otros dispositivos portátiles de RF que utilicen esta tecnología. Esta nueva generación también busca mejorar la ganancia d potencia, lo que permitiría reducir los requerimientos de potencia en las etapas de baja y media frecuencia de un sistema electrónico. | |||||
Jueves, 16 Junio, 2005 - 11:32 | |||||
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