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Para las personas creyentes, Dios esta al principio. Para los científicos está el final de todas sus reflexiones.

Max Planck(1858-1947) Físico alemán.
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Nuevos MOSFET p-channel de elevado voltaje
 
 


Zetex Semiconductors anuncia sus MOSFET p-channel promediados a 200 V en encapsulados SOT23 y SOT223, que reducen el tamaño de diseños de fijación activa. Hasta ahora, dichos diseños se realizaban con encapsulados DPAK y SO8 de mayores dimensiones.

La oferta inicial se compone de dos dispositivos miniatura: el ZXMP2120E5 en SOT23 de 5 pines y el ZXMP2120G4 en SOT223 de 4 pines. El espacio entre pines de ambos encapsulados se ha maximizado para mantener la resistencia a ‘creepage’ de alto voltaje.

Además, el proceso p-channel de baja capacitancia de puerta usado en la fabricación de los MOSFET garantiza la reducción del timbre durante la conmutación, logrando un rendimiento de bajo ruido.

Como la circuitería p-channel es más sencilla de implementar que n-channel, los MOSFET ZXMP2120 permitirán a los diseñadores producir fijaciones activas de menor coste en convertidores forward dc-dc de 48 V de telecomunicaciones y aplicaciones con servidores.


Martes, 17 Enero, 2006 - 05:44
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