(NC&T) Imagine una computadora que no pierde datos incluso durante una interrupción repentina de energía, o una unidad de disco duro de tamaño comparable al de una moneda que podría almacenar 100 ó más películas.

La memoria magnética de acceso aleatorio, o MRAM, podría hacer esto posible, y además ofrecer muchas otras ventajas. Ésta podría, por ejemplo, trabajar a mucha mayor velocidad que la memoria convencional, consumiendo un 99 por ciento menos de energía. El desafío actual, sin embargo, es el diseño de una forma rápida, segura y barata de construir celdas de memoria magnética densamente empaquetadas y estables.

Un equipo de investigadores de la Universidad Johns Hopkins ha propuesto una posible solución: diminutos anillos de níquel o cobalto con forma irregular, que pueden servir como celdas de memoria. Estos "nanoanillos" pueden almacenar una gran cantidad de información. También son inmunes al problema de los campos magnéticos "perdidos", los cuales son campos que "escapan" de otros tipos de fuentes magnéticas, interfiriendo con dispositivos magnéticos adyacentes a ellos.

Los nanoanillos son sumamente pequeños, con un diámetro de aproximadamente 100 nanómetros. Un nanómetro es la milmillonésima parte de un metro. Un solo cabello humano podría albergar 1 millón de anillos de este tamaño.

El diseño asimétrico permite que la mayoría de los nanoanillos alcancen el llamado "estado vórtice", lo que indica que no tendrán, en absoluto, campos perdidos. Sin campos perdidos con los que lidiar, estos nanoanillos se comportan como vecinos tranquilos que no molestan a los demás, por lo que pueden ser empaquetados con una densidad extrema. Como resultado, la cantidad de información que puede almacenarse en un área determinada aumenta considerablemente.

En un estudio anterior, los investigadores encontraron que los nanoanillos simétricos de 100 nanómetros sólo tienen alrededor de un 40 por ciento de probabilidad de alcanzar el estado vórtice. Pero los nanoanillos asimétricos tienen entre un 40 y un 100 por ciento de probabilidad de alcanzar dicho estado. Esta probabilidad puede controlarse utilizando la dirección del campo magnético.