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| TriQuint anuncia módulo de amplificación de potencia polar cuatribanda GSM / EDGE optimizado para funcionamiento con los chips multimodo Qualcomm(R) | |||||
BARCELONA, España y HILLSBORO, Oregón - El nuevo módulo ofrece la mayor duración de conversación del mercado de los teléfonos móviles; compensación de temperatura integrado; no requiere componentes de derivación externa TriQuint Semiconductor (Nasdaq:TQNT) ha anunciado el lanzamiento de su nuevo amplificador de potencia (PAM ) polar cuatribanda GSM EDGE , el TQM7M5003, como pieza clave de su estrategia front-end RF total EDGE (velocidades de datos ampliadas para la evolución de GSM) y WCDMA (acceso múltiple por división de código de banda ancha). El nuevo módulo proporciona la mejor eficacia GSM / GPRS (servicio general de radiocomunicaciones por paquetes) y EDGE del mercado para teléfonos inalámbricos (móviles) en un tamaño estándar de la industria. Una mayor eficiencia se traduce en una mayor vida de la batería para los teléfonos inalámbricos de próxima generación, especialmente porque el estándar EDGE apunta a una mayor velocidad de datos necesaria para las nuevas aplicaciones multimedia / con uso intensivo de datos. El tamaño y altura del módulo lo hace ideal para el formato compacto y ultra delgado que prefieren los consumidores y fabricantes de teléfonos. El nuevo TQM7M5003 de TriQuint está concebido para su utilización en teléfonos inalámbricos GSM / EDGE y tarjetas de datos en las bandas GSM 850 / 900 / 1800 / 1900. El módulo está optimizado para su funcionamiento con los chips transceptores multimodo de Qualcomm y soporta tanto el modo GPRS de clase 12 y el modo EDGE polar de bucle abierto E2. La eficacia del producto complementa la solución de sistema total RF 3G de TriQuint anunciada el pasado 8 de febrero. "Nuestro nuevo módulo EDGE PA incluye un controlador de potencia superior que, junto con el amplificador HBT (transistor bipolar de heterounión) de arseniuro de galio (GaAs), proporciona características consistentes de AM/AM (amplitude to amplitude) y AM/PM (amplitude to phase) según la temperatura, frecuencia, potencia de entrada, y voltaje de la batería", comenta Paul Cooper, director de marketing de productos de semiconductores de TriQuint. "Estamos convencidos de estar ofreciendo al cliente exactamente lo que el mercado está pidiendo: un módulo más pequeño que ocupe menos espacio en el panel del teléfono con una eficacia superior para tiempos de conversación más largos, todo ello en un tamaño que no requiera ningún componente externo de derivación, ninguna conexión Vcc (colector de alimentación) externa, ni ningún acoplador direccional", concluye Cooper. La última incorporación de TriQuint a su gama de módulos EDGE PA complementa una línea completa de productos GSM / EDGE y WCDMA para teléfonos móviles de esta generación y de la próxima. TriQuint ofrece PAs, módulos PA, módulos de transmisión/recepción y conmutadores/módulos de conmutación para toda la gama de normas GSM, incluidas aplicaciones 2.5G y 3G. La elevada fiabilidad del producto está garantizada con las tecnologías de procesos HBT GaAs InGaP (fosfato de indio-galio) de tercera generación de TriQuint y sus probadas técnicas de diseño de módulos. El nuevo módulo de TriQuint se expone en el stand de la empresa en el Congreso Mundial GSM (Hall 2, caseta H75) en Barcelona (España) (13-16 febrero). El Congreso Mundial es la mayor exposición y convención dedicada a las comunicaciones inalámbricas GSM, sector que cuenta con más de 2.000 millones de abonados. | |||||
Lunes, 13 Febrero, 2006 - 11:36 | |||||
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