La prueba de velocidad se realizó en un trabajo conjunto con el Instituto de Tecnología en Georgia y estando altamente refrigerados a una temperatura de cero absoluto, la que se logra a -273 grados centígrados, temperatura desde ya muy poco práctica para dispositivos de uso doméstico. Sin embargo se estima que a temperatura ambiente se alcanzarán velocidades del orden de los 300 GHz, las cuales no son para nada despreciable.

Para lograr aún mayores velocidades, un elemento que podría reemplazar en el futuro a los actualmente utilizados -- silicio y germanio-- es el Arsenurio de Galio, que por sus características de velocidad es ahora utilizado en optoelectrónica, principalmente para los enlaces de fibra óptica, y en todo tipo de dispositivos emisores de luz como los populares LED's usados masivamente como indicadores lumínicos en los dispositivos electrónico más variados y en los pixels de las pantallas gigantes de TV utilizadas al aire libre.

Esta nueva tecnología desarrollada por IBM para la fabricación de transistores de alta velocidad facilitará en el futuro la construcción de todo tipo de dispositivos electrónicos con mejores prestaciones, desde una supercomputadora hasta un reproductor de música digital.