Infineon Technologies AG anuncia sus diodos Schottky de segunda generación, basados en tecnología SiC (carbonato de silicio). El diodo Schottky fue llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es también denominado diodo pnpn.
Este diodo es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dipositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como \"knee\", o sea, de rodilla).
La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente. La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos
Con la familia thinQ!™ 2G, Infineon Technologies AG, compañía pionera en diodos Schottky SiC, mejora las prestaciones de conmutación de su generación anterior.
Los nuevos diodos SiC tienen al menos el doble de capacidad de corriente y mejoras de resistencia en comparación con la primera generación, siendo ideales para aplicaciones en SMPS (fuentes de alimentación en modo conmutado).
A diferencia de otros diodos Schottky SiC de elevada tensión, los diseñadores de sistemas y fabricantes de fuentes de alimentación no tienen que agrandar el diodo para una determinada aplicación y pueden emplear dispositivos más económicos y de menores dimensiones, reduciendo los costes entre un 30 y 50% e incrementado la resistencia. Los diodos Schottky también son ideales para aplicaciones PFC. Este mercado posee requerimientos estrictos, como el estándar europeo EN61000-3-2, que establece límites armónicos para cualquier aplicación off-line que tenga un consumo superior a 75 W.
Estos diodos muestran una ausencia de carga y corriente durante el proceso de conmutación, lo que reduce significativamente las pérdidas (un requisito previo para operación de baja frecuencia). Además, el rendimiento de conmutación es independiente en corriente forward, velocidad y temperatura. |
Con esta segunda generación de dispositivos SiC, las características de protección ante subidas de corriente y tensión se mejoran a través de una estructura PIN-Schottky.
Los nuevos diodos Schottky SiC se encuentran disponibles con tensiones de bloqueo de 600 V en encapsulados TO-220 y TO-252.
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