Zetex Semiconductors anuncia una nueva gama de transistores bipolares de baja tensión que amplía la capacidad de gestión de potencia del encapsulado SOT23, permitiendo a los diseñadores reemplazar componentes equivalentes SOT89 y SOT223 de mayores dimensiones.
Usando un diseño avanzado de frame y capacidad de proceso bipolar, Zetex ofrece dos dispositivos NPN y dos modelos PNP que pueden disipar hasta 1.25 W. Los transistores ZXTN23015CFH y ZXTN25020DFH tienen ratios Vce de 15 y 20 V, respectivamente, mientras que los dispositivos ZXTP23015CFH y ZXTP25040DFH pueden operar a 15 y 40 V.
Gestionando corrientes continuas de hasta 6 A, la nueva serie de transistores permite incrementar significativamente la densidad de potencia, y, soportando picos de corriente de pulso de hasta 15 A, también ofrece la posibilidad de dirigir MOSFET e IGBT de mayor capacitancia a superior velocidad en aplicaciones con fuentes de alimentación.
Gracias a su baja tensión de saturación, estos transistores bipolares SOT23 aumentan la eficiencia de los conmutadores en equipos alimentados por batería y garantizan que la disipación de calor se mantiene en el mínimo absoluto.
Además, la elevada ganancia de estos nuevos transistores de Zetex hace que los IC puedan dirigir grandes cargas sin la necesidad de circuitería buffer adicional. |
Con esta segunda generación de dispositivos SiC, las características de protección ante subidas de corriente y tensión se mejoran a través de una estructura PIN-Schottky. Los nuevos diodos Schottky SiC se encuentran disponibles con tensiones de bloqueo de 600 V en encapsulados TO-220 y TO-252.
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