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| Intel y Micron elaboran muestras de primeros dispositivos del sector con memoria Flash NAND de 50 nanómetros | |||||
BOISE, Idaho, y SANTA CLARA, Calif. - Micron Technology, Inc. e Intel Corporation anunciaron hoy que han elaborado muestras de las primeras memorias Flash NAND construidas en base a la tecnología de procesos de 50 nanómetros (nm) que es líder en el sector. Las muestras se fabricaron a través de IM Flash Technologies, un emprendimiento conjunto de Micron e Intel, dedicado al desarrollo y a la fabricación. Actualmente, ambas empresas utilizan muestras de dispositivos de 4 gigabits (Gb), y tienen planes de producir en masa una gama de densidades en el nodo de 50nm en el año 2007. Este avance hacia la tecnología de procesos de 50nm permitirá a Intel y a Micron satisfacer la creciente demanda de memorias Flash NAND de densidad más alta en una gama de aplicaciones informáticas y de la electrónica de consumo, como por ejemplo reproductores de música digital y dispositivos portátiles de almacenamiento y de comunicación. Según los pronósticos de las investigaciones del sector, se estima que el segmento NAND del mercado alcanzará un valor de entre 13.000 y 16.000 millones de dólares estadounidenses en el año 2006, y que crecerá hasta alcanzar un valor de entre aproximadamente 25.000 y 30.000 millones de dólares estadounidenses para el año 2010. "Micron ingresó al negocio de las memorias NAND en el año 2004, utilizando un proceso de 90nm. En el correr de unos pocos años y gracias a nuestra cooperación con Intel, actualmente estamos preparados para introducir un producto líder basado en la más moderna tecnología de procesos", dijo Brian Shirley, vicepresidente de memorias de Micron. "Micron seguirá adelante con su dedicación a las memorias NAND, mediante una rápida transición al proceso de 50nm y mediante su permanente trabajo en nodos avanzados destinados a la introducción de productos de una densidad aún mayor". "Desde nuestro ingreso al negocio de las memorias NAND Flash hemos crecido de manera increíblemente rápida", dijo Brian Harrison, vicepresidente y gerente general del grupo de memorias Flash de Intel. "Comenzamos a distribuir productos a nuestros clientes en el primer trimestre del presente año, y actualmente observamos una demanda muy grande de diversas densidades Flash. Gracias al trabajo realizado junto a Micron, estamos preparados para realizar una rápida transición a la tecnología de procesos de 50nm y a tecnologías aún más avanzadas". Micron e Intel formaron IM Flash Technologies (IMFT) en enero, con el objetivo de fabricar productos de memoria Flash NAND para ambas empresas. Desde su formación, IMFT ha estado ampliando con determinación sus plantas de fabricación. Actualmente, Micron lleva a cabo el suministro para este emprendimiento conjunto de memoria Flash NAND desde su planta de fabricación en Boise. Más adelante este año, la planta de 300mm que Micron posee en Manassas, Va., estará funcionando para suministrar memorias NAND a IMFT. Mientras tanto, se prevé que para principios del año que viene la planta de Lehi, Utah, que está dedicada a IMFT y que sirve de sede para dicho emprendimiento, esté produciendo memorias NAND. Intel, el mayor fabricante de chips del mundo, también es un importante fabricante de productos para la informática, la interconexión de redes y las comunicaciones. | |||||
Martes, 25 Julio, 2006 - 10:49 | |||||
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