(NC&T)Hecho de fosfuro de indio y de arseniuro de galio e indio, el nuevo transistor utiliza una gradación pseudomórfica de las regiones de la base y del colector. La gradación de la composición de estos componentes refuerza la velocidad de los electrones y por lo tanto reduce la densidad de la corriente y el tiempo de carga.

Con su más reciente dispositivo, Milton Feng, profesor de Ingeniería Electrónica y Computación en la Universidad de Illinois, y su grupo de investigación han llevado el transistor a un nuevo rango de funcionamiento de gran velocidad, llegando a la antesala del "Santo Grial" de los transistores, un transistor en la gama de los terahercios. Los transistores más rápidos conllevan ordenadores más rápidos, sistemas de comunicaciones inalámbricas más seguros y flexibles, y variados dispositivos electrónicos de mayor eficiencia.

Además de emplear materiales pseudomórficos en la construcción, los investigadores también refinaron su proceso de fabricación para hacer más diminutos los elementos componentes del transistor. Por ejemplo: la base del transistor tiene sólo 12,5 nanómetros de espesor. (Un nanómetro es una milmillonésima de metro, o aproximadamente 10.000 veces menor que el grosor de un cabello humano).

"Reduciendo verticalmente la escala del dispositivo, hemos disminuido la distancia que los electrones tienen que superar, produciendo un aumento en la velocidad del transistor", explica William Snodgrass, uno de los investigadores. "Como el tamaño del colector también se ha reducido lateralmente, el transistor puede cargarse y descargarse más deprisa".

(Milton Feng, a la derecha, y William Snodgrass.) (Foto: L. Brian Stauffer) Operado a temperatura ambiente (25 grados Celsius), la velocidad del transistor es de 765 gigahercios. Enfriándolo a 55 grados Celsius bajo cero, la velocidad aumenta a 845 gigahercios. Feng, Snodgrass y Walid Hafez (ahora en Intel) fabricaron el dispositivo de gran velocidad en el laboratorio de microtecnología y nanotecnología de la universidad. Además de querer aumentar la velocidad del transistor, Feng busca reducir más aún la densidad de corriente, lo que disminuirá la temperatura de la unión y mejorará la fiabilidad del dispositivo.