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| Intel y Micron elaboran muestras de memorias flash NAND con celdas de varios niveles | |||||
Intel Corporation y Micron Technology anunciaron hoy que están elaborando muestras de las memorias flash NAND construidas en base a la tecnología de procesos de 50 nanómetros (nm) y celdas de varios niveles (MLC) que es líder en el sector, fabricadas por IM Flash Technologies, su emprendimiento conjunto dedicado a las memorias flash NAND. Los nuevos componentes de memorias flash NAND MLC ofrecen una matriz de categoría mundial y un tamaño de celda adaptado perfectamente para su uso en los dispositivos electrónicos informáticos y de consumo de hoy en día, los cuales son cada vez más pequeños y eficientes. La tecnología 50nm MLC, de la cual se han elaborado muestras con una densidad de matriz de 16 gigabits (Gb), complementa los productos anunciados previamente con tecnología de 50nm y celdas de un solo nivel (SLC) que las empresas están enviando actualmente a una densidad de matriz de 4 Gb. El nuevo producto NAND MLC corona un año de actividad productiva en el cual Intel y Micron han incrementado enérgicamente la producción de una red de modernas fábricas de memorias flash de 300 milímetros (mm) y están en medio de un proceso para diseñar memorias flash NAND por debajo de los 40nm. "En tan sólo un año, Micron e Intel han diseñado el producto de memoria flash NAND MLC que es líder en el sector y han incrementado enérgicamente la producción en una red de fábricas que hoy en día trabajan para nuestros clientes", dijo el director de operaciones de Micron, Mark Durcan. "Estamos orgullosos de los logros alcanzados con Intel y esperamos lograr más objetivos claves en el próximo año". "La evolución de nuestro emprendimiento conjunto con Micron para diseñar arquitectura líder en el sector ha sobrepasado nuestras expectativas en este primer año", dijo Randy Wilhelm, vicepresidente y gerente general del grupo de productos NAND de Intel. "Intel y Micron fueron los primeros en el sector en presentar muestras de memorias NAND SLC 50nm el pasado julio, y el hecho de haber diseñado la arquitectura de 50nm MLC más avanzada del sector es una prueba más de la solidez de esta asociación de diseño y fabricación". Junto con la producción de memorias flash NAND realizada en las plantas de Micron en Boise (Idaho) y Manassas (Virginia), el emprendimiento conjunto IM Flash también fabrica obleas desde febrero en la planta de 300mm en Lehi (Utah), que está dedicada por completo al emprendimiento conjunto. Además, las empresas están avanzando en sus planes de instalar una nueva fábrica IM Flash en Singapur, a través de la asociación con Singapur anunciada recientemente. | |||||
Jueves, 26 Abril, 2007 - 11:28 | |||||
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