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| Lo opuesto de una formulación correcta es una formulación incorrecta. Pero lo opuesto de una verdad profunda puede ser muy bien otra verdad profunda, Niels Henrik David Bohr(1885-1962) Físico danés, premio Nobel de Física 1922. |
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| Fairchild e International Recitifier anuncian MOSFET de alto rendimiento | |||||
El Fairchild Semiconductor FDZ191P es un dispositivo de pequeño tamaño implantando en tecnología canal P que está optimizado para aplicaciones de conversión de potencia, así como de carga y gestión energética para tensiones inferiores a 20V en equipos portátiles. Implantado en cápsulas de 10,0x1,5x0,65 mm, ofrece una resistencia en conducción de 67 miliohms a 4,5 V una resistencia térmica de 83ºC/W. Por su parte, con la introducción del modelo IR66443PbF, Internacional Rectifier propone un nuevo componente destinado a reducir el espacio de los convertidores CC/CC aislados que trabajan en sistemas de telecomunicaciones universales a tensiones comprendidas entre 36 y 75 V, así como en sistemas de entrada fijos de 48 V. Implantado en tecnología HEXFET, soporta 35 A en régimen continuo mientras se alberga en una cápsula equivalente a una SO-8 de bajo perfil. Su resistencia de conducción es de 29 miliohms a 10 V. | |||||
Martes, 15 Mayo, 2007 - 07:21 | |||||
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