| Secciones |
|---|
| |
| | Foros Electrónica |
|---|
| |
| | Alguien dijo ... |
|---|
La atención es la aplicación de la mente a un objeto; el primer medio para pensar es escuchar bien.
Jaume Balmes(1810-1848) Filósofo y teólogo catalán | | Contacto |
|---|
|
| | Fairchild e International Recitifier anuncian MOSFET de alto rendimiento | | | |
El Fairchild Semiconductor FDZ191P es un dispositivo de pequeño tamaño implantando en tecnología canal P que está optimizado para aplicaciones de conversión de potencia, así como de carga y gestión energética para tensiones inferiores a 20V en equipos portátiles. Implantado en cápsulas de 10,0x1,5x0,65 mm, ofrece una resistencia en conducción de 67 miliohms a 4,5 V una resistencia térmica de 83ºC/W.
Por su parte, con la introducción del modelo IR66443PbF, Internacional Rectifier propone un nuevo componente destinado a reducir el espacio de los convertidores CC/CC aislados que trabajan en sistemas de telecomunicaciones universales a tensiones comprendidas entre 36 y 75 V, así como en sistemas de entrada fijos de 48 V.
Implantado en tecnología HEXFET, soporta 35 A en régimen continuo mientras se alberga en una cápsula equivalente a una SO-8 de bajo perfil. Su resistencia de conducción es de 29 miliohms a 10 V.
|
Martes, 15 Mayo, 2007 - 07:21 | |
|  |
| |