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| El hombre encuentra a Dios detrás de cada puerta que la ciencia logra abrir. Albert Eisntein (1879-1955). Físico alemán. Premio Nobel de Física. |
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| STMicroelectronics aumenta su familia de memoria Flash NAND usando tecnología de 70 nm | |||||
Los nuevos dispositivos Small Page de 512 Mbit y Large Page de 1,2 4 y 8 Gbit ofrecen soluciones de almacenamiento masivo para un amplio rango productos de consumo e inalámbricos STMicroelectronics anuncia la disponibilidad de su familia de memoria Flash NAND en tecnología de 70 nm. Estos dispositivos de memoria de elevada densidad han sido diseñados para dotar de almacenamiento masivo de datos a un amplio rango de aplicaciones informáticas y de consumo, tales como cámaras digitales, PDA’s, sistemas de navegación GPS, tarjetas Flash y drivers USB, impresoras, set-top boxes (STB’s), equipos de TV digital, sistemas multimedia en vehículos, microteléfonos móviles con funciones multimedia. Todos los modelos de esta familia ofrecen un rendimiento ultrarrápido y capacidad de borrado. Las líneas de dirección y las señales de entrada / salida de datos están multiplexadas en bus de 8 o 16 bit, reduciendo el número de pines y posibilitando el uso de un interfaz NAND modular, que permite a los sistemas adoptar dispositivos de mayor (o menor) densidad sin cambiar las dimensiones de la solución. Las herramientas de software de ST aceleran el desarrollo de productos con estos nuevos chips de memoria. Estas incluyen software de Código de Corrección de Error (ECC); BBM para reconocer bloques con fallos en operación de Borrado o Programa, copiando los datos en un bloque válido; algoritmos Wear Leveling para optimizar el envejecimiento del dispositivo al distribuir las operaciones de Borrado o Programa entre todos los bloques; software de referencia File System OS Native; y modelos de simulación de hardware. La memoria está organizada en bloques que se pueden leer y programar por página. Cada página contiene un area libre, cuyos bytes se suelen usar para códigos de corrección de error, flags de software o identificación de bloque erróneo. Un modo Copy Back Program permite que los datos almacenados en una página se programen directamente en otra sin la necesidad de buffering externo. También se ofrece un comando Block Erase con un tiempo de borrado de 2 ms. Cada bloque está especificado para 100.000 ciclos de programa y borrado y una retención de datos de diez años. Los nuevos circuitos de memoria, están disponibles en encapsulados TSOP48 y VFBGA63 de 9x11 o 9.5x12, tienen una característica ‘Chip Enable Don’t Care’, que simplifica el interface de microcontrolador y permite el uso de Flash NAND en combinación con otros tipos de memoria como NOR Flash y xRAM. Estas combinaciones de memoria se suelen emplear cuando se necesitan soluciones más rápidas para memoria de código, usando memoria NAND de mayor densidad y menor coste para almacenamiento de grandes ficheros. | |||||
Viernes, 25 Mayo, 2007 - 12:08 | |||||
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