(ELF) - Fairchild combina las tecnologías avanzadas PowerTrench y de empaquetado para poder ofrecer alto rendimiento y mínimo espacio del componente. El MicroFET’s 2m m x 2m m x 0.8m se encapsularon en el tipo leadless (MLP), es un 55% mas pequeño y un 20% mas bajo en altura que los mOSFETs de 3m m x de 3m m x de 1.1m m encapsulados en un SSOT-6 usados usualmente en los diseños de baja tensión.

Los MicroFET proporcionan también una excelente disipación del calor comparados con los mOSFETs convencionales encapsulados en SC-70.

La combinación de eficacia energética y baja disipación de calor, junto con las reducidas dimensiones del dispositivo, los hacen ideales para multitud de aplicaciones donde las reducidas dimensiones son una exigencia, así como necesaria una optimización del tratamiento de la energía.

Cuatro de los nuevos dispositivos, los FDMA1023PZ, FDMA520PZ, FDMA530PZ y FDMA1025P, ofrecen la configuración típica de los mOSFETs convencionales individuales y duales P-channel. Los otros tres dispositivos restantes ofrecen combinaciones N- ó P-channel MOSFET/Schottky.

Principales caracteristicas tecnicas Part Number Configuration Function (V) (V) (A) RDS(ON) mOhms Max (nC) Price (each) US$ 1K pcs VDS VGS ID 4.5V VGS Qg(TOT) Typ FDMA520PZ Single P-Channel (w/Zener) Charge FET/Load Switch -20V 12V -7.3 30 14 $0.39 FDMA530PZ Single P-Channel (w/Zener) Charge FET/Load Switch -30V 25V -6.8 35 16 $0.39 FDMA1025P Dual P-Channel Charge FET -20V 12V -3 220 3.4 $0.42 FDMA1023PZ Dual P-Channel (w/Zener) Charge FET -20V 8V -4 71 8 $0.39 FDFMA2N028Z Single N-Channel (w/Zener) +Schottky Boost FET w/Low Forward-Voltage Schottky Diode 20V 12V 3.7 68 4 $0.39 FDFMA2P029Z Single P-Channel (w/Zener) +Schottky Charge FET w/Low Forward-Voltage Schottky Diode -20V 12V -3 95 7 $0.39 FDFMA2P857 Single P-Channel + Schottky Charge FET w/Low Reverse-Leakage Schottky Diode -20V 8V -3 120 4 $0.39