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| Investigadores del CSIC desarrollan una nanolitografía capaz de reproducir componentes nanoelectronicos | |||||
Un equipo del Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) ha desarrollado una nanolitografía [proceso para fabricar un elevado número de estructuras o dispositivos a escala nanométrica] que destaca por su reproducibilidad y por su posible comercialización a bajo coste. Las estructuras obtenidas por este equipo son las más pequeñas fabricadas hasta el momento a temperatura y presión ambientales sobre una superficie de silicio. Entre las posibles aplicaciones de la nanolitografía creada por este grupo destaca la fabricación de sensores y dispositivos nanoelectrónicos en el campo de la biomedicina y para el control de contaminantes. El trabajo ha sido elegido para protagonizar la portada de la última edición de Nano Letters. El investigador del CSIC en el Instituto de Microelectrónica de Madrid (CSIC) y director del proyecto, Ricardo García, resume la importancia del hallazgo: “Hemos demostrado por primera vez que un proceso de nanolitografía que genera estructuras de 2 nanómetros es compatible con procesos de fabricación en paralelo, es decir, que se pueden crear métodos para procesar muchas muestras de forma simultánea”. La nueva nanolitografía permite crear patrones formados por líneas o puntos de 2 nanómetros de diámetro y periodicidades de 6 nanómetros sobre superficies de silicio, la medida más pequeña alcanzada hasta el momento. El nuevo proceso de nanofabricación está basado en la formación y manipulación de cuellos líquidos de octano de tamaño nanoscópico. Los cuellos de octano se forman entre la punta de un microscopio de fuerzas y una superficie de silicio mediante la aplicación de un campo eléctrico muy intenso. UN PROCESO ESCALABLE Posteriormente el campo eléctrico activa la formación de las estructuras de carbono. Los investigadores también han demostrado que el proceso de nanolitografía es escalable y permite modificar superficies de silicio de varios milímetros cuadrados en un minuto. El investigador del CSIC explica el proceso: “El campo eléctrico origina la hibridación de las moléculas de octano y su posterior deposición sobre la superficie de silicio. La punta de un microscopio de fuerzas controla con una precisión de un nanómetro la posición sobre la superficie donde se depositan las estructuras”. Y concluye: “Con este método, hemos fabricado diversos tipos de estructuras tanto periódicas como de forma arbitraria. Una de las estructuras está formada por un conjunto de 20 líneas de 2 nanómetros de anchura, 2 nanómetros de altura y 200 nanómetros de longitud. Las líneas están separadas por 6 nanómetros”. En el futuro, el equipo que dirige García se plantea fabricar con esta tecnología un prototipo de sensor ultrasensible, con capacidad para detectar una sola interacción de reconocimiento molecular. | |||||
Martes, 17 Julio, 2007 - 11:35 | |||||
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