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| IBM-TDK se asocian para investigación y desarrollo de MRAM | |||||
IBM y TDK se unirán para lograr avances en la tecnología RAM, con el anuncio del lanzamiento de un nuevo programa de investigación dirigido al MRAM. La Magnetic Random Access Memory (memoria de acceso aleatorio magnético), ellos dicen, tiene el potencial para crear memoria mucho mas compacta de la que tenemos hoy en día. El anuncio de IBM no es una gran sorpresa ya que ha estado siendo desarrollada por mucho tiempo por ellos, pero ha llegado a tener muy poco uso. IBM sostiene que ellos como TDK serán capaces de trabajar juntos para explorar usos más versátiles de la tecnología MRAM: Las compañías aportarán su experiencia en diferentes áreas fundamentales de investigación para nueva tecnología de memoria y desarrollo de dispositivos magnéticos para crear un circuito integrado MRAM de alta densidad, alta capacidad que puede ser usada como memoria independiente o incorporada a otras soluciones IC. MRAM promete muchas ventajas sobre las tecnologías DRAM existentes, como un consumo de energía mucho inferior y mejores velocidades, pero actualmente se ve plagada por desafíos en costos y tamaño. Esta tecnología ha sido llamada en el pasado, por compañías como IBM, la sucesora de toda la tecnología RAM actual. Tal vez con la ayuda de TDK podrán avanzar más rápido. | |||||
Lunes, 20 Agosto, 2007 - 11:00 | |||||
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