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| Toshiba y Kaga Toshiba celebran la inauguración de la nueva planta de fabricación basada en obleas de 200mm | |||||
Toshiba Corporation y Kaga Toshiba Electronics Corporation (Kaga Toshiba) celebraron en el día de hoy la inauguración oficial de una nueva planta de fabricación de semiconductores basada en obleas de 200mm, en Kaga Toshiba, una subsidiaria consolidada de Toshiba ubicada en la prefectura de Ishikawa, Japón. La nueva planta mejorará la capacidad de producción de dispositivos de energía. Está creciendo la demanda de dispositivos de energía que controlan el flujo de corriente y la conversión de voltaje en productos digitales para el consumidor, que incluyen televisores y equipos personales móviles, así como vehículos híbridos. La inversión realizada por Toshiba y Kaga Toshiba en la nueva planta aumentará la capacidad de fabricación de estos dispositivos clave. La nueva planta de fabricación entró en pleno funcionamiento a fines de septiembre, completando así la primera fase de un programa de inversión en un nuevo edificio y equipos de producción que se espera ascienda a un total de 55.000 millones de yenes en los cinco años que van del año fiscal 2006 al año fiscal 2010. Está previsto que esta nueva planta aumente la producción a 60.000 obleas por mes, y la capacidad de producción podrá aumentarse aún más para satisfacer las necesidades de crecimiento del mercado. La nueva planta reforzará el ímpetu de Toshiba por convertirse en el principal fabricante de dispositivos de energía del mundo. El equilibrado negocio de semiconductores del Grupo Toshiba abarca tres importantes áreas de producción: sistemas LSI, memorias y dispositivos discretos. Kaga Toshiba opera como una instalación clave del Grupo Toshiba para la fabricación de dispositivos discretos, y lleva a cabo el desarrollo de productos y procesos iniciales y finales para dispositivos de pequeña señal y dispositivos de energía. "Fomentamos la realización de inversiones que refuerzan nuestra posición y capacidades dentro de nuestros mercados esenciales", señaló Keizo Tani, vicepresidente ejecutivo de Semiconductor Company de Toshiba y vicepresidente de la División de semiconductores discretos. "Además de nuestras inversiones proactivas en memoria NAND Flash en Yokkaichi Operations y en sistemas LSI de última generación en Oita Operations, promovemos esta inversión en Kaga Toshiba para expandir nuestros negocios de dispositivos de energía, un área de productos clave, y para reforzar la rentabilidad general del negocio de los semiconductores". Tatsuro Mitani, presidente de Kaga Toshiba Electronics, también dio la bienvenida a estas nuevas instalaciones: "Los dispositivos de energía tienen un futuro muy prometedor, y esta inversión apropiada para el mercado fortalecerá nuestro negocio de dispositivos discretos y nos permitirá generar ganancias sustentables. Actualmente, nuestro objetivo es utilizar esta nueva planta de fabricación para posicionar a Toshiba como líder mundial en dispositivos de energía". Información general de Kaga Toshiba Electronics Corporation: Ubicación: 1-1, Iwauchi-cho, Nomi-shi, Prefectura de Ishikawa, Japón Fundación: 6 de diciembre de 1984 Presidente y director representante: Tatsuro Mitani Empleados: aproximadamente 850 Capitalización: 3.300 millones de yenes (subsidiaria en propiedad absoluta de Toshiba) Productos principales: semiconductores discretos (dispositivos de pequeña señal y dispositivos de energía) Información general sobre la nueva planta de fabricación: Estructura del edificio: hormigón con perfiles de acero, dos pisos Superficie construida: aproximadamente 23.000 metros cuadrados Inicio de la construcción: septiembre de 2006 Finalización: mayo de 2007 | |||||
Martes, 16 Octubre, 2007 - 11:28 | |||||
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