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| Toshiba consigue movilidad superior de los huecos para la tecnología CMOS de futura generación | |||||
a corporación Toshiba anunció hoy que, junto con IBM Corporation, ha desarrollado un CMOS FET del más alto rendimiento, una alta prioridad para un sistema LSI avanzado. La nueva tecnología ofrece el más alto rendimiento posible, y abre el camino para posteriores avances en tecnología de procesos. Toshiba e IBM anunciaron el logro el 19 de junio, en el simposio VLSI en Honolulu, Hawái, Estados Unidos. El alto rendimiento, bajo poder y la escalabilidad le han dado a la tecnología CMOS un lugar central en la tecnología de los semiconductores, una posición ahora amenazada en la medida en que la tecnología CMOS escala ventajas hacia limites físicos fundamentales que inhiben posteriores avances en el desempeño de transistores y la migración para lograr una tecnología superior de procesos. Como resultado de ello, la industria busca nuevas maneras para superar estos retos. Estas aproximaciones incluyen la adopción de nuevos materiales tales como puertas metálicas y en High-K y nuevas estructuras. Otra forma de mejorar el rendimiento es mejorar la movilidad de los electrones, o de los huecos, a través de canales de dispositivos. Las obleas de adhesión directa al silicio (Direct Silicon Bonding, DSB), un bulk CMOS con obleas híbridas que adhiere sustratos (100) y (110), es un candidato reconocido para lograr avances en este campo. En el desarrollo de la nueva tecnología, la obtención de obleas de silicio (100) estándares rotando el plano de la capa (100) 45 grados y adelgazando la capa de DSB del sustrato (110), Toshiba e IBM han integrado exitosamente la tecnología mejorando en un 10% el retardo del oscilador de anillo comparado con lo logrado para obleas de sustrato DSB convencional, 0 grados (100), el cual pega a una oblea dos sustratos de silicio, un sustrato (100) y un sustrato (110). El desarrollo mejoró el retardo del oscilador de anillo en un 30% con relación a las obleas estándares (100). El logro puede ser integrado con tecnologías que puedan alcanzar incluso avances superiores. CMOS utiliza dos tipos de transistores: transistores de efecto de campo con carga positiva (Positively-Charged Field Effect Transistors, PFETs), y transistores de efecto de campo (Field Effect Transistors, FETs) con carga negativa (Negatively-Charged Field Effect Transistors, NFETs). Para el caso de los PFETs, se sabe que la movilidad de huecos obtiene un mejor rendimiento en un sustrato con una orientación de superficie (110) que con un sustrato con una orientación de superficie (100). Sin embargo, para el caso de los NFETs, la movilidad de la carga eléctrica se deteriora en un sustrato con una orientación de superficie (110) comparado con la movilidad en un sustrato con una orientación de superficie (100). Toshiba e IBM consiguieron este nuevo logro usando tecnología nueva de orientación del hibrido fabricada en un sustrato híbrido con diferentes orientaciones de cristal para conseguir un rendimiento de transistores PFET mejorado sin ningún deterioro del rendimiento en los transistores NFET Toshiba está estudiando varias tecnologías para dispositivos avanzados futuros, y cree que la nueva tecnología es un paso hacia adelante para conseguir dispositivos prácticos más potentes. | |||||
Viernes, 20 Junio, 2008 - 10:39 | |||||
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