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| Numonyx e Hynix amplían los esfuerzos para presentar productos y tecnologías nuevos e innovadores de memoria flash NAND | |||||
Hynix Semiconductor Inc. y Numonyx B.V. anunciaron hoy un acuerdo de cinco años para expandir sus programas de desarrollo conjunto para el creciente segmento de memorias flash NAND. Las compañías ampliarán sus líneas de productos NAND y presentarán productos del futuro e innovaciones tecnológicas para hacer frente a los retos que conlleve la tecnología NAND durante los próximos cinco años. Bajo el nuevo acuerdo, Hynix y Numonyx ampliarán el alcance de sus esfuerzos de desarrollo conjunto para ofrecer tecnología y productos líderes de memorias NAND y combinar recursos para acelerar el desarrollo de futuras tecnologías y soluciones NAND. Además trabajarán mancomunadamente en la memoria móvil DRAM utilizada en paquetes de múltiples chips para teléfonos móviles. “Para volvernos exitosos en la industria de rápido desarrollo de los semiconductores, el hecho de enfrentar los retos tecnológicos de manera conjunta en lugar de independientemente reduce el riesgo al sacar provecho de lo mejor de las dos compañías”, manifestó Jong-Kap Kim, presidente y director ejecutivo de Hynix. “El desarrollo futuro de la tecnología conjunta será el factor de éxito clave en nuestra alianza y esperamos realizar cambios significativos en el desarrollo de soluciones de memorias; el proceso se centrará en la introducción de nuevos productos a través del desarrollo compartido sistemático en las áreas de productos, software y controladores. Hynix y Numonyx desarrollarán de manera conjunta una completa gama de productos de tecnología de vanguardia que permitirán a ambas compañías triunfar en el segmento de memorias NAND. Ahora tendremos una de las más amplias comunidades de diseño de memorias NAND en el mundo y esperamos un éxito ininterrumpido, ya que por el momento trabajamos para desarrollar nuevas soluciones de memorias NAND, tanto para el día de hoy como para el futuro.” “El éxito y el crecimiento en el segmento NAND durante los próximos cinco años requerirá un conjunto único de capacidades que creemos podemos conseguir con Hynix”, dijo Brian Harrison, presidente y director ejecutivo de Nunomyx. “Combinando nuestros recursos expertos, actividades de ingeniería y el enfoque absoluto de Hynix en el control de costos, estamos seguros de que obtendremos tecnología de punta, una fabricación rentable y escalable, la experiencia del sistema de memorias líder en la industria y una reputación de haber traído al mercado muy rápidamente soluciones NAND a nivel de sistema. La experiencia complementaria de Hynix ciertamente ayudará a reforzar nuestra posición de las memorias NAND en el segmento inalámbrico en particular”. La fabricación de memorias NAND se torna más compleja a medida que la tecnología escala o se mueve a nodos litográficos de manufactura cada vez más pequeños. Se prevé que la tecnología de cargador con tapa (“Charge-Trap Device”) de las memorias NAND reemplace la tecnología actual dominante de puerta flotante (“Floating Gate”) de las memorias NAND y la experiencia de Numonyx en tecnología NOR basada en flash contribuya de manera significativa a esta evolución. Además, los proveedores de memorias durante los próximos cinco años necesitarán tener un entendimiento más profundo de la física de los dispositivos y de las soluciones generales a nivel de los sistemas de memorias para superar estos retos. La utilización efectiva de la experiencia en software que posee Numonyx ayudará en este esfuerzo y ocasionará un cambio positivo en la penetración en el mercado y en la creciente participación en el mercado de soluciones integradas NAND tales como microSD, eMMC y SSD. La sinergia entre Hynix y Numonyx, combinada con un legado de 40 años de Numonyx en la solución de difíciles retos de memoria no volátil y la experiencia en el desarrollo de firmware, microcontroladores y otras soluciones de sistema serán factores clave para ayudar a resolver las limitaciones de la tecnología, al desarrollar las NAND desde el silicio sin refinar hasta los sistemas. Además de la colaboración en cuanto a las memorias NAND, la compañía también tiene actualmente una iniciativa de fabricación conjunta para la producción de memorias DRAM de 300 mm, de bajo consumo para móviles, en su empresa conjunta china en Wuxi. DRAM móvil, comúnmente provista con memoria no volátil en paquetes de múltiples chips es usada por ambas compañías en soluciones para dispositivos móviles. Esta colaboración en DRAM móvil permitirá a ambas compañías despachar subsistemas más rentables de memoria multichip de bajo consumo a los clientes que requieran diseños más pequeños. Con la introducción en el mercado en abril de la memoria LPDDR2 de 1 Gb, el producto más rápido en el mundo, Hynix es ahora el líder en la industria de productos de memoria DRAM móvil en términos de diversidad de productos, liderazgo tecnológico, rendimiento y compatibilidad con interfaces SDR/DDR permitiendo soluciones de un solo chip. | |||||
Martes, 12 Agosto, 2008 - 10:39 | |||||
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