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| Toshiba, IBM y AMD desarrollan la celda FinFET más pequeña del mundo con compuerta metálica High-k | |||||
Toshiba Corporation, IBM y AMD anunciaron hoy que han desarrollado en conjunto una celda con memoria SRAM, con un área de solo 0,128 micrómetros cuadrados (μm2), lo cual significa que es la celda de memoria SRAM funcional más pequeña del mundo que utiliza tecnología de transistor de efecto campo con forma de aleta (fin-shaped Field Effect Transistor, FinFET). La celda, desarrollada con material para compuerta metálica de constante dieléctrica K elevada (high-k metal gate, HKMG), ofrece ventajas con respecto a las celdas de FET planos para las futuras generaciones tecnológicas. Las celdas con memoria SRAM son componentes de la mayoría de los circuitos integrados a gran escala en el nivel de sistema, tales como microprocesadores, y las celdas más pequeñas con memoria SRAM pueden ayudar a obtener procesadores más pequeños, más rápidos y que consuman menos energía. Este desarrollo tecnológico fue anunciado el 16 de diciembre en una ponencia técnica presentada en el International Electron Devices Meeting (Encuentro Internacional de Dispositivos Electrónicos) de 2008 (https://www.his.com/~iedm/general/) realizado en San Francisco, California. Para reducir la medida del transistor cuando se fabrican celdas con memoria SRAM utilizando transistores planos convencionales, los fabricantes de tarjetas inteligentes (Intelligent Cards, IC) por lo general ajustan las propiedades agregando más impurezas en el área del dispositivo. Sin embargo, este ajuste genera una variabilidad no deseable y deteriora la estabilidad de las memorias SRAM. Este tema es cada vez más crítico, especialmente en las tecnologías de nodo de 22 nm y superiores. El uso de transistores FinFETs ―transistores verticales con canales de silicona en forma de aleta y sin agregado de impurezas― representa un enfoque alternativo que permite la reducción del tamaño de las celdas con memoria SRAM con una variación característica menor. Los investigadores de estas tres compañías fabricaron una celda de gran escala y memoria SRAM con tecnología FinFET aplicando propiedades HKMG. Es la celda de memoria SRAM y transistor FET no plano más pequeña que se haya fabricado: con 0,128 μm2, la celda integrada es más de un 50 por ciento más pequeña que la celda de transistor FET no plano de 0,274 μm2 antes mencionado. Para lograr este objetivo, el equipo optimizó los procesos, en particular para el depósito y la remoción de materiales, lo que incluye la propiedad de compuerta HKMG desde las superficies verticales de la estructura de transistor FinFET no plano. También investigaron la variación estocástica de las propiedades de los transistores FinFET dentro de las celdas de gran escala con memoria SRAM y simularon las variaciones de las celdas con memoria SRAM en un tamaño de celda aún más pequeño. Los investigadores verificaron que los transistores FinFET sin modificación de canal mejoraron la variabilidad característica del transistor en más de un 28 por ciento. En las simulaciones de las celdas con memoria SRAM de un área de 0,063 μm2, equivalente o superior a la escala de celda para un nodo de 22 nm, los resultados confirmaron que se espera que la celda con memoria SRAM con transistor FinFET ofrezca una ventaja significativa en condiciones de operación estable, comparada con una celda de transistor FET plano con memoria SRAM de esta generación. Al fabricar con éxito celdas de gran escala con memoria SRAM, transistores FinFET y compuerta HKMG, las compañías han posicionado los transistores FinFETs como una estructura de transistor atractiva para las memorias SRAM en los nodos de 22nm y superiores. La nueva tecnología da un paso adelante hacia la obtención de dispositivos prácticos más poderosos. | |||||
Jueves, 18 Diciembre, 2008 - 11:51 | |||||
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