2N1711

EPITAXIAL PLANAR NPN

DESCRIPTION                                                       
The 2N1711  is a silicon Planar Epitaxial NPN
transistor in Jedec TO-39 metal case. It is
intented for use in high performance amplifier,
oscillator and switching circuits.
The 2N1711 is also used to advantage in
amplifiers where low noise is an important factor.

®

INTERNAL  SCHEMATIC  DIAGRAM

September 2002 

ABSOLUTE  MAXIMUM  RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

V

CBO

Collector-Base Voltage (I

E

 = 0)

75

V

V

CER

Collector-Emitter Voltage (R

BE

 

≤ 

10

Ω¦

)

50

V

V

EBO

Emitter-Base Voltage (I

C

 = 0)

7

V

I

C

Collector Current

500

mA

P

tot

Total Dissipation at T

amb

 

≤

 25 

o

C

                          at T

C

 

≤

 25 

o

C

                          at T

C

 

≤

 100 

o

C

0.8

3

1.7

W
W
W

T

stg

Storage Temperature

-65 to 175

o

C

T

j

Max. Operating Junction Temperature

175

o

C

TO-39

1/4

      Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s)

THERMAL  DATA

R

thj-case

 R

thj-amb

Thermal  Resistance  Junction-Case                              Max
Thermal  Resistance  Junction-Ambient                         Max

50

187.5

o

C/W

o

C/W

ELECTRICAL  CHARACTERISTICS  (T

case

 = 25 

o

C unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

I

CBO

Collector Cut-off
Current (I

E

 = 0)

V

CB

 = 60 V

V

CB

 = 60 V      T

C

 = 150 

o

C

10
10

nA

µ

A

I

EBO

Emitter Cut-off Current
(I

C

 = 0)

V

EB

 = 5 V

5

nA

V

(BR)CBO

Collector-Base
Breakdown Voltage
(I

E

 = 0)

I

C

 = 100 

µ

A

75

V

V

(BR)CER

•ˆ—

Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(R

BE

 

≤ 

10

Ω¦

)

I

C

 = 10 mA

50

V

V

(BR)EBO

Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I

C

 = 0)

I

E

 = 100 

µ

A

7

V

V

CE(sat)

•ˆ—

Collector-Emitter
Saturation Voltage

I

C

 = 150 mA        I

B

 = 15 mA

0.5

1.5

V

V

BE(sat)

•ˆ—

Base-Emitter
Saturation Voltage

I

C

 = 150 mA        I

B

 = 15 mA

0.95

1.3

V

h

FE

•ˆ—

DC Current Gain

I

C

 = 10 

µ

A           V

CE

 = 10 V

I

C

 = 0.1 mA         V

CE

 = 10 V

I

C

 = 10 mA          V

CE

 = 10 V

I

C

 = 150 mA         V

CE

 = 10 V

I

C

 = 500 mA         V

CE

 = 10 V

I

C

 = 10 mA           V

CE

 = 10 V

T

C

 = -55 

o

C

20
35
75

100

40

35

60
80

130
130

75

65

300

h

fe

Small Signal Current
Gain

I

C

 = 1 mA    V

CE

 = 10 V  f = 1 KHz

70

135

300

f

T

Transition Frequency

I

C

 = 50 mA  V

CE

 = 10 V  f = 20 MHz

70

100

MHz

C

EBO

Emitter-Base
Capacitance

I

C

 = 0          V

EB

 = 0.5 V  f = 1 MHz

50

80

pF

C

CBO

Collector-Base
Capacitance

I

E

 = 0          V

CB

 = 10 V   f = 1 MHz

18

25

pF

NF

Noise Figure

I

C

 = 0.3 mA             V

CE

 = 10 V

R

g

 = 510 

Ω¦

              f = 1 KHz

3.5

8

dB

h

ie

Input Impedance

I

C

 = 1 mA    V

CE

 = 5 V    f = 1 KHz

4.4

K

Ω¦

h

re

Reverse Voltage Ratio

I

C

 = 1 mA    V

CE

 = 5 V    f = 1 KHz

7.3 x

10

-4

h

oe

Output Admittance

I

C

 = 1 mA    V

CE

 = 5 V    f = 1 KHz

23.8

µ

S

•ˆ— 

Pulsed: Pulse duration = 300 

µ

s, duty cycle 

≤

 1 %

2N1711

2/4

      Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s)

DIM.

mm

inch

MIN.

TYP.

MAX.

MIN.

TYP.

MAX.

A

12.7

0.500

B

0.49

0.019

D

6.6

0.260

E

8.5

0.334

F

9.4

0.370

G

5.08

0.200

H

1.2

0.047

I

0.9

0.035

L

45

o

 (typ.)

L

G

I

D

A

F

E

B

H

P008B

TO-39 MECHANICAL DATA

2N1711

3/4

      Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s)

Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences
of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is
granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specification mentioned in this publication are
subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products
are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.

The ST logo is a trademark of STMicroelectronics

© 2002 STMicroelectronics - Printed in Italy - All Rights Reserved

STMicroelectronics GROUP OF COMPANIES

Australia - Brazil - Canada - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Israel - Italy - Japan - Malaysia - Malta - Morocco -

 Singapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom - United States.

http://www.st.com

2N1711

4/4

      Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s)