TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

     

      
      

1

JULY 1968 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.

•—�

Designed for Complementary Use with the 
TIP30 Series

•—�

30 W at 25 °C Case Temperature

•—�

1 A Continuous Collector Current

•—�

3 A Peak Collector Current

•—�

Customer-Specified Selections Available

absolute maximum ratings at 25 °C case temperature (unless otherwise noted)

NOTES: 1. This value applies for t

p

 

≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%.

2. Derate linearly to 150 °C  case temperature at the rate of 0.24 W/ °C.
3. Derate linearly to 150 °C  free air temperature at the rate of 16 mW/ °C.
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, I

B(on)

 = 0.4 A, R

BE

 = 100 

Ω¦,

V

BE(off)

 = 0, R

S

 = 0.1

 Ω¦, V

CC

 = 20 V.

RATING

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-base voltage (I

E

 = 0)

TIP29

TIP29A

TIP29B

TIP29C

V

CBO

80

100

120

140

V

Collector-emitter voltage (I

B

 = 0)

TIP29

TIP29A

TIP29B

TIP29C

V

CEO

40

60

80

100

V

Emitter-base voltage

V

EBO

5

V

Continuous collector current

I

C

1

A

Peak collector current (see Note 1)

I

CM

3

A

Continuous base current

I

B

0.4

A

Continuous device dissipation at (or below) 25 °C case temperature (see Note 2)

P

tot

30

W

Continuous device dissipation at (or below) 25 °C free air temperature (see Note 3)

P

tot

2

W

Unclamped inductive load energy (see Note 4)

½LI

C

2

32

mJ

Operating junction temperature range

T

j

-65 to +150

°C

Storage temperature range

T

stg

-65 to +150

°C

Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds

T

L

250

°C

B

C

E

TO-220 PACKAGE

(TOP VIEW)

Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.

MDTRACA

1

2

3

TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

2

     

      
      

JULY 1968 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

NOTES: 5. These parameters must be measured using pulse techniques, t

p

 = 300  µs, duty cycle 

≤ 2%.

6. These parameters must be measured using voltage-sensing contacts, separate from the current carrying contacts.

† 

  Voltage and current values shown are nominal; exact values vary slightly with transistor parameters.

electrical characteristics at 25 °C case temperature

PARAMETER

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

V

(BR)CEO

Collector-emitter

breakdown voltage

I

C

 =   30 mA

(see Note 5)

I

B

 = 0

TIP29

TIP29A

TIP29B

TIP29C

40

60

80

100

V

I

CES

Collector-emitter

cut-off current

V

CE

=     80  V

V

CE

= 100  V

V

CE

= 120  V

V

CE

= 140  V

V

BE

= 0

V

BE

= 0

V

BE

= 0

V

BE

= 0

TIP29

TIP29A

TIP29B

TIP29C

0.2

0.2

0.2

0.2

mA

I

CEO

Collector cut-off

current

V

CE

=     30  V

V

CE

=   60 V

I

B

= 0

I

B

= 0

TIP29/29A

TIP29B/29C

0.3

0.3

mA

I

EBO

Emitter cut-off

current

V

EB

 =     5 V

I

C

= 0

1

mA

h

FE

Forward current

transfer ratio

V

CE

 =     4 V

V

CE

 =     4 V

I

C

= 0.2 A

I

C

=       1 A

(see Notes 5 and 6)

40

15

75

V

CE(sat)

Collector-emitter

saturation voltage

I

B

 =  125 mA

I

C

=    1 A

(see Notes 5 and 6)

0.7

V

V

BE

Base-emitter

voltage

V

CE

 =     4 V

I

C

=    1 A

(see Notes 5 and 6)

1.3

V

h

fe

Small signal forward 

current transfer ratio

V

CE

 =   10 V

I

C

= 0.2 A

f = 1 kHz

20

|

h

fe

|

Small signal forward 

current transfer ratio

V

CE

 =   10 V

I

C

= 0.2 A

f = 1 MHz

3

thermal characteristics

PARAMETER

MIN

TYP

MAX

UNIT

R

ΘJC

Junction to case thermal resistance

4.17

°C/W

R

ΘJA

Junction to free air thermal resistance

62.5

°C/W

resistive-load-switching characteristics at 25 °C case temperature

PARAMETER

TEST CONDITIONS  

† 

MIN

TYP

MAX

UNIT

t

on

Turn-on time

I

C

 = 1 A

V

BE(off)

 = -4.3 V

I

B(on)

 = 0.1 A

R

L

 = 30 

Ω¦

I

B(off)

 = -0.1 A

t

p

 = 20  µs, dc 

≤ 2%

0.5

µs

t

off

Turn-off time

2

µs

TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

3

     

      
      

JULY 1968 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.

TYPICAL CHARACTERISTICS

Figure 1.  

Figure 2.  

Figure 3.  

TYPICAL DC CURRENT GAIN

vs

COLLECTOR CURRENT

I

C

 - Collector Current - A

0 ·001

0 ·01

0 ·1

1 ·0

h

FE

 -

 D

C

 C

u

rre

n

t 

Ga

in

1

10

100

1000

TCS631AD

V

CE

 = 4 V

T

C

 = 25 °C

 t

p

 = 300  µs, duty cycle < 2%

COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE

vs

BASE CURRENT

I

B

 - Base Current - mA

0 ·1

1 ·0

10

100

1000

V

CE

(s

a

t)

 - Co

ll

e

c

to

r-Em

itte

r Sa

tu

ra

ti

o

n

 V

o

lt

a

g

e

 - V

0 ·01

0 ·1

1 ·0

10

TCS631AE

I

C

 = 100 mA

I

C

 = 300 mA

I

C

 = 1 A

BASE-EMITTER VOLTAGE

vs

COLLECTOR CURRENT

I

C

 - Collector Current - A

0 ·01

0 ·1

1 ·0

V

BE

 - Ba

s

e

-E

m

itte

r Vo

lt

a

g

e

 - V

0 ·5

0 ·6

0 ·7

0 ·8

0 ·9

1 ·0

TCS631AF

V

CE

 = 4 V

T

C

 = 25 °C

TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

4

     

      
      

JULY 1968 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS

Figure 4.  

THERMAL INFORMATION

Figure 5.  

MAXIMUM FORWARD-BIAS

SAFE OPERATING AREA

V

CE

 - Collector-Emitter Voltage - V

1 ·0

10

100

1000

I

C

 - Co

ll

e

c

to

r Cu

rre

n

t - A

0 ·01

0 ·1

1 ·0

10

100

SAS631AC

TIP29
TIP29A
TIP29B
TIP29C

t

p

 = 300 µs, d = 0.1 = 10%

t

p

 =    1 ms, d = 0.1 = 10%

t

p

 =  10 ms, d = 0.1 = 10%

DC Operation

MAXIMUM POWER DISSIPATION

vs

CASE TEMPERATURE

T

C

 - Case Temperature -  °C

0

25

50

75

100

125

150

P

to

t

 -

 Ma

xi

mu

m 

P

o

w

e

r D

is

s

ip

at

io

n

 -

 W

0

10

20

30

40

TIS631AB