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| Asunto: Maneras de dañarse un mosfet o IGBT  Publicado: 16 May, 2023 - 05:13 |
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Nuevo en el Foro
Registrado: 16 May, 2023
Mensajes: 1
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| Buenas gente.
Si tengo unos mosfet en configuración de medio puente donde lo alimento con 150V con limitación de corriente a 1A con Disipador y ventilador y un voltaje en gate de 12V prendido y -2V apagado
En la prueba estaba funcionando en vacío de manera correcta sin embargo en un momento los mosfet se dañaron
Estos Mosfet son de 600V 60A
Por lo cual no encuentro manera de como se pudo dañar les pido que me ayuden a encontrar que posible razón se do para dañar los mosfets
Corriente limitada
Voltaje cas al 15% de su máximo
Con disipador y ventilador
Muchas gracias | |
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| | Asunto: RE: Maneras de dañarse un mosfet o IGBT Publicado: 24 Oct, 2023 - 02:31 |
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Experto
Registrado: 27 Sep, 2017
Mensajes: 126
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| Hay varias maneras de dañar un MOSFET o un IGBT, y algunas de las más comunes son las siguientes:
1. Sobrecarga de corriente: Si se aplica una corriente excesiva al dispositivo, puede dañar las uniones internas y provocar un fallo.
2. Sobretensión: Si se aplica una tensión superior a la máxima permitida, puede exceder la capacidad de aislamiento del dispositivo y provocar una falla.
3. Sobrecalentamiento: Si se excede la temperatura máxima permitida, puede producirse una degradación de los materiales internos y provocar un fallo.
4. ESD (Descarga electrostática): Si se aplica una descarga electrostática a través del dispositivo, puede dañar las uniones internas y provocar un fallo.
5. Cortocircuito: Si se produce un cortocircuito entre los terminales del dispositivo, puede causar una sobrecorriente y dañar las uniones internas.
6. Polarización invertida: Si se aplica una polaridad inversa a los terminales del dispositivo, puede causar una ruptura de las uniones y provocar un fallo.
7. Transitorios de tensión: Si se producen transitorios de tensión en la alimentación o en los terminales del dispositivo, pueden provocar una sobretensión y dañar las uniones internas.
Es importante tener en cuenta estas situaciones y tomar las precauciones necesarias para evitar dañar los dispositivos MOSFET o IGBT durante su uso. |
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