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| Asunto: necesito saver que es un IRF 3205 y un IRF 634A  Publicado: 03 Feb, 2007 - 06:11 |
| Nuevo en el Foro
Registrado: 03 Feb, 2007
Mensajes: 1
Ubicación: León
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| | Trabajo dimensionando equipos fotovotaicos, soy técnico eléctrico. Tengo un inversor marca Xpawer 175W tenía quemado el fusible de entrada DC, al reemplazarlo los led indicadores de ensendido(verde) y baja batería (rojo sen encienden. El rojo interitentemente. algo anda mal. Encontré estos dispositivos abiertos los dos IRF 3205 y uno de cuatro IRF 634A. Pregunto: que son estos y con que nombre buscarlos? | |
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| |  | | | Asunto: Publicado: 04 Feb, 2007 - 07:19 |
| Nuevo en el Foro
Registrado: 23 Sep, 2005
Mensajes: 3
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| Son MOSFET
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS.
Estructura interna
Cross Section of an NMOSBásicamente un MOSFET está formado por una placa de metal y un semiconductor, que hace las veces de soporte físico, separados por una zona de óxido del semiconductor - por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor. En este sistema se disponen cuatro electrodos:
Compuerta, gate en inglés, simbolizado con G; que se conecta a la plaquita metálica.
Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simétricos, que se internan en el sustrato gracias a las zonas sobresaturadas (semimetal).
Sustrato (Body), generalmente conectado eléctricamente con la fuente
Funcionamiento
Se basa en utilizar un sustrato tipo p (o n). En las regiones de surtidor y de fuente de realizan difusiones para formar sendas islas tipo n (o p). Entre fuente y surtidor se encuentra la estructura MOS que, polarizando la puerta adecuadamente, crea un canal tipo n (o p) entre surtidor y drenador. Véase estructura MOS.
Según el tipo de sustrato, la función trabajo del metal de la puerta y las cargas en el óxido, existen diversos tipos de transistor, como se ve en la figura. Estos son: (a)Transistor de canal p de enriquecimiento (Normalmente OFF); (b)Transistor de canal n de enriquecimiento (Normalmente OFF); (c)Transistor de canal p de empobrecimiento (Normalmente ON); (d)Transistor de canal n de empobrecimiento (Normalmente ON); (e)A veces, para señalar el surtidor, se pone la conexión de puerta desplazada hacia él; (f)Transistor MOSFET de doble puerta. En los circuitos integrados es común utilizar puertas de silicio policristalino.
te dejo las hojas de datos de estos para que puedas checarlos
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet- ... F3205.html
http://www.alldatasheet.com/datasheet-p ... F634A.html | |
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