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Memorias magnéticas que no olvidan
 
 
 


En la actualidad, la información que contienen la mayoría de ordenadores, cámaras fotográficas, tarjetas de crédito o tarjetas de transporte, entre otros, se guarda en forma de “ceros” y “unos” definidos por la orientación del momento magnético (una pequeñísima brújula) característica de los materiales ferromagnéticos que forman la memoria (cobalto, hierro, níquel, etc.). Naturalmente, es extremadamente peligroso acercar un imán a la tarjeta de memoria, ya que éste reorientará el momento magnético los elementos de memoria y se perderá la información almacenada.

Un equipo del Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona del CSIC, en colaboración con laboratorios de los EEUU y de la Republica Checa, ha demostrado que se puede usar otro tipo de materiales magnéticos, denominados antiferromagnéticos, para almacenar información. El trabajo se publica en el último número de la revista Nature Materials.

Los materiales antiferromagnéticos están constituidos por muchas pequeñas “brújulas” (momentos magnéticos) que apuntan alternadamente en direcciones opuestas, orientados según unas direcciones bien precisas en el material y que no pueden ser perturbadas por imanes convencionales. “Por eso, estos materiales son insensibles a campos magnéticos externos y podrían constituir memorias muy robustas. Por la misma razón que no se pueden modificar fácilmente con campos magnéticos, tampoco se pueden escribir información en ellos”, señala el investigador del CSIC Josep Foncuberta.

El experimento consiste en usar unos materiales que, con un ligero cambio de temperatura fácilmente alcanzable y controlable, pasan de ser antiferromagnéticos a ferromagnéticos. La información se escribe en la fase ferromagnética, seleccionando una dirección de la magnetización mediante la aplicación de un campo magnético. Después, los materiales se enfrían y pasan a la fase antiferromagnética, en la que la orientación de los momentos magnéticos (y, con ellos, la información) queda fijada. Una simple lectura de la resistencia eléctrica permite discriminar en qué dirección se encuentran los momentos magnéticos y por tanto se puede leer la memoria. “Estos resultados abren nuevas perspectivas en el diseño de memorias magnéticas, más robustas y seguras”, concluye el investigador del CSIC. 

Dr. Xavier Martí, Dr. Ignasi Fina , Dr. Carlos Frontera , Dr. Jian Liu , Dr. Peter Wadley , Dr. Qing He , Mr. Ryan Paull , Mr. James Clarkson , Dr. Josef Kudrnovsky , Dr. Ilja Turek , Dr. Jan Kunes , Dr. Jiun-Haw Chu , Mr. Di Yi , Dr. Christopher Nelson , Dr. Long You , Dr. Elke Arenholz , Prof. Sayeef Salahuddin , Prof. Josep Fontcuberta , Dr. Tomas Jungwirth , Dr. Ramamoorthy Ramesh. Room-temperature antiferromagnetic memory resistor. Nature Materials.


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Publicada el 28 de Jan de 2014 - 11:20 PM   

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