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Investigadores de Intel Labs han logrado dar un paso más en el desarrollo de la fotónica de silicio
 
 
 


Los investigadores de Intel Labs han logrado dar un paso más en el desarrollo de la fotónica de silicio, consiguiendo un rendimiento récord a escala mundial gracias al Fotodetector de Avalancha (Avalanche Photodetector, APD). Este dispositivo, basado en silicio, es capaz de reducir los costes y mejorar el rendimiento en relación a otros dispositivos ópticos disponibles en estos momentos. Todos los resultados obtenidos de esta investigación han sido publicados en la revista Nature Photonics.

La Fotónica de Silicio es una nueva tecnología que utiliza silicio estándar para enviar y recibir información óptica entre ordenadores y otros dispositivos electrónicos. Así, tiene como objetivo ocuparse de las necesidades futuras de ancho de banda en aplicaciones informáticas que utilizan una gran cantidad de datos como, por ejemplo, la medicina a distancia y los mundos virtuales de gran realismo en 3D.

La transferencia de datos ultra rápida va a ser esencial en los ordenadores de procesadores con múltiples núcleos y la tecnología basada en fotónica de silicio puede ofrecer unos equipos estándar más veloces y asequibles. Un avance posible gracias al papel y las innovaciones de Intel Labs, incluyendo los moduladores rápidos de silicio y el láser híbrido de silicio. Además, la combinación de estas tecnologías ha permitido crear unos nuevos equipos digitales capaces de obtener un rendimiento  que supera con creces los resultados actuales.

El equipo liderado por investigadores de Intel Labs ha creado el APD basado en silicio, un sensor de luz que logra una sensibilidad mayor detectando la luz y amplificando las señales débiles cuando el haz luminoso se dirige al silicio. Este dispositivo APD utiliza el silicio y el procesamiento del CMPS para conseguir un “producto de mayor ancho de banda”, concretamente de 340 GHz, el mejor resultado obtenido hasta la fecha en pruebas clave para evaluar el rendimiento del APD.  De esta forma, se ha logrado abrir el camino para reducir el coste de los enlaces ópticos que funcionan a una velocidad de transmisión de datos de 40 Gbps como mínimo, demostrando por primera vez que un dispositivo de fotónica de silicio puede superar el rendimiento de un dispositivo fabricado con materiales ópticos más caros y tradicionales como, por ejemplo, el fosfuro de indio.

“Los resultados de esta investigación muestran otro ejemplo del uso del silicio para crear dispositivos ópticos de muy alto rendimiento,” ha indicado Mario Paniccia, Intel Fellow y director del Laboratorio de Tecnología Fotónica de la compañía. “Además de las comunicaciones ópticas, estos APDs basados en silicio se pueden también utilizar en otras áreas como, por ejemplo, los sensores, la captura de imágenes, la criptografía cuántica o las aplicaciones para Ciencias Biológicas”.

Además, el equipo de Intel Labs ha trabajado con colaboradores del sector y de las universidades y el estudio ha recibido financiación conjunta de la Agencia de Proyectos de Investigación Avanzados para Defensa (Defense Advanced Research Projects Agency, DARPA). Asimismo, Numonyx, fabricante líder de NOR, NAND, RAM y de tecnologías de memoria no volátil y cambio de fase, ha ofrecido su experiencia en procesamiento y fabricación. “Este hito representa un buen ejemplo de las relaciones efectivas existentes entre Intel y Numonyx”, ha afirmado Yonathan Wand, vicepresidente de fabricación en Numonyx y director de planta en Fab1. “Nos comprometemos a mejorar esta relación, potenciando más innovaciones en Fotónica de Silicio”.   

Por otra parte, Joe Campbell, catedrático de la Universidad de Virginia y John Bowers, catedrático de la Universidad de California en Santa Barbara, ambos expertos en  APD, ofrecieron asesoría y ayuda en las pruebas realizadas. “Este APD utiliza las características inherentemente superiores del silicio para la amplificación de la alta velocidad, creando de esta forma una tecnología óptica de primera clase”, ha comentado Bowers. “Estamos muy contentos de haber podido desarrollar las características especiales de estos dispositivos y vamos a seguir colaborando con Intel para obtener el máximo potencial de los dispositivos basados en fotónica de silicio”.



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Publicada el 24 de Mar de 2009 - 06:50 PM   

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