Secciones
Foros Electrónica
Electrónica Fácil en Twitter
siguenos en twitter
Boletines de correo
Boletines
Sitios recomendados
El titanato de estroncio se vuelve ferroeléctrico en películas de pocos átomos de grosor
 
 
 


La tecnología de almacenamiento electrónico de información, desde las viejas cintas magnéticas hasta los discos duros de los ordenadores de nueva generación, ha sido objeto de mucha dedicación por la industria de la electrónica durante décadas.


(NC&T) Una memoria electrónica de bajo consumo de energía y alta eficiencia podría ser a largo plazo el resultado de la investigación dirigida por Darrell Schlom, experto en ciencia de los materiales de la Universidad Cornell. La labor ha incluido tomar un óxido muy conocido, el titanato de estroncio, y depositarlo sobre silicio de forma tal que se logra un estado ferroeléctrico.

    En la investigación también han participado Long-Qing Chen de la Universidad Estatal de Pensilvania, y Jeremy Levy de la Universidad de Pittsburgh.

    Los materiales ferroeléctricos se encuentran hoy en las "tarjetas inteligentes" usadas en bastantes aplicaciones cotidianas donde se necesite un acceso fácil y barato a ciertos datos. Los dispositivos de esa clase, del tamaño de las tarjetas de crédito, están hechos con materiales especiales y pueden cambiar al instante entre diferentes estados de la memoria usando muy poca energía eléctrica. Una diminuta antena de microondas dentro de la tarjeta, cuando es usada por un dispositivo lector, muestra, y si es el caso actualiza, la información almacenada.

    Durante más de medio siglo, los científicos han querido emplear los materiales ferroeléctricos en transistores que podrían llevar a una computación instantánea sin tener que reiniciar el sistema operativo o apoyarse en el disco duro para ciertas funciones. Sin embargo, nadie ha logrado todavía un transistor ferroeléctrico que funcione.

    Agregar nuevas funcionalidades a los transistores puede llevar a una computación mejorada y a dispositivos que consuman menos energía, tengan una velocidad más alta y sean más eficientes.

    Por lo común, el titanato de estroncio en su estado relajado no es ferroeléctrico a ninguna temperatura. Los investigadores han demostrado, sin embargo, que las películas sumamente delgadas del óxido, de sólo unos átomos de espesor, se vuelven ferroeléctricas cuando son empujadas átomo por átomo para llenar el espacio entre los átomos de silicio subyacentes.

    Cambiando el espaciado entre los átomos en aproximadamente el 1,7 por ciento, se logra alterar de manera drástica las propiedades del titanato de estroncio, convirtiéndolo en un material con propiedades útiles para las memorias electrónicas.


Publica esta página en...

Enviar a Facebook  
  


Publicada el 25 de May de 2009 - 12:33 PM   

Esta noticia la han leido 2341 lectores

powered by phppowered by MySQLPOWERED BY APACHEPOWERED BY CentOS© 2004 F.J.M.Información LegalPrensa
Esta web utiliza cookies, puedes ver nuestra política de cookies, aquí Si continuas navegando estás aceptándola
Política de cookies +