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Nuevo método para fabricar transistores mas pequeños
 
 
 


Unos investigadores de la Universidad de Illinois han encontrado una nueva manera de hacer transistores más pequeños. La técnica utiliza el autoensamblaje, la autoalineación y canales de nanocables hechos de arseniuro de galio y libres de defectos.


(NC&T) Xiuling Li y Seth Fortuna describen el primer transistor de Efecto Campo de metal-semiconductor fabricado con un canal de nanocables de arseniuro de galio autoensamblado.

    Los nanocables son atractivos bloques de construcción para la electrónica y para muchas aplicaciones de la fotónica. Sin embargo, antes de su implantación industrial primero deben superarse varias dificultades, incluyendo la integración con la microelectrónica existente.

    El nuevo proceso de crecimiento crea nanocables de arseniuro de galio, autoalineados y sin defectos, que podrían muy pronto ser fabricados a escala industrial. Es un proceso no litográfico que puede controlar con precisión la dimensión y orientación de los nanocables, siendo compatible con el diseño de la circuitería existente y con las tecnologías de fabricación de ésta.

    El canal de nanocables de arseniuro de galio utilizado por los investigadores en su transistor de demostración se hizo crecer mediante una deposición química especial de vapor, usando oro como catalizador. El resto del transistor fue hecho con técnicas convencionales de microfabricación.

    Estando el diámetro del canal de nanocables del transistor en torno a los 200 nanómetros, con la técnica de crecimiento que usa el catalizador de oro es posible fabricar nanocables con diámetros tan pequeños como 5 nanómetros. La orientación autoalineada de los nanocables está determinada por la estructura del cristal del substrato y ciertos parámetros de crecimiento.

    Los nanocables de alta calidad también pueden usarse en las comunicaciones ópticas mediante láser.

-ENLACES A INFORMACION SUPLEMENTARIA EN INTERNET:
http://news.illinois.edu/news/09/0420nanowires.html


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Publicada el 22 de May de 2009 - 12:02 PM   

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